La memoria diventerà organica, per consumare meno energia. Gli scienziati della Northwestern University degli Stati Uniti, hanno creato un nuovo tipo di memoria che si basa su molecole organiche organizzate in lunghi cristalli.
La forte interazione tra queste molecole dimostra una proprietà a lungo ricercata conosciuta come ferroelettricità: un materiale presenta una carica elettrica positiva ad una estremità e una negativa all’altra. Questo stato di polarizzazione elettrica spontanea può essere invertito facendo passare un campo elettrico attraverso la sostanza. Quindi, la sostanza può essere utilizzato per creare memorie non volatili in linguaggio binario 0 e 1.
La scoperta della Northwestern University è quella di aver trovato nuove molecole, economiche da produrre e stabili, per creare cristalli ferroelettrici, aprendo la strada alla produzione industriale. Al contrario, i materiali ferroelettrici convenzionali ovvero speciali varietà di polimeri e ceramiche, complessi e costosi da produrre. I nuovi materiali possono essere prodotti velocemente, sono molto versatili e, oltre alla memoria dei computer, potrebbero rivelarsi utili nei campi dell’energia solare e della nanoelettronica. La principale applicazione sarebbe l’elaborazione di dati in cloud a basso consumo di energia e non volatile.
La memoria organica formata da cristalli dotati di ferroelettricità
Arriva l'evento AI Accelerator 2025: AI Accelerator - l’umanesimo dell’AI tra etica, sicurezza ed esperienze,…
Il 50% dei clienti mostra interesse medio verso l'AI, ma solo il 38,8% dei rivenditori…
Intelligenza artificiale: il 23 settembre a Roma DESTINATION AI di TD SYNNEX, trend, casi d’uso…
Il nuovo iPhone 17 Pro segna una svolta epocale: addio al titanio, torna l'alluminio per…
iPhone Air non è solo l'iPhone più sottile di sempre, celebra il ritorno di Apple…
Come la semplicità di Apple aiuta le PMI italiane: ecosistema integrato, zero-touch, TCO più basso…
Via Italia 50, 20900 Monza (MB) - C.F. e Partita IVA: 03339380135
Reg. Trib. Milano n. 409 del 21/7/2011 - ROC n. 21424 del 3/8/2011